10月19日上午，1981届校友长江存储CEO杨士宁博士携手1998届校友施文广，在校本部乐乎新楼学海厅带来关于储存芯片产业的精彩报告。本次活动由上海大学创新管理部、上海大学对外联络处（校友会办公室）共同主办。

原上海科学技术大学党委副书记林玉凤、上海大学原副校长汪敏，创新管理部、对外联络处、通信学院等相关部处、学院领导、相关专业教授团队，以及来自通信学院、机自学院、理学院等200余名师生聆听了报告。此外，还有数十名校友也自发前来，现场座无虚席，许多师生更是站着听完整场报告，盛况空前。报告会由上海大学原副校长汪敏教授主持。

报告会开始，汪敏教授简要介绍了杨士宁校友的求学经历、研究领域和业界成果。

杨士宁校友作了《非易失存储器技术发展趋势及我们的一些思考和工作》的专题报告。首先，杨士宁校友对母校和母校的老领导、老教授们表达了无尽的感激之情。

杨士宁校友主要从存储器产业的回顾、现状和趋势，长江存储发展存储器的战略思考，长江存储三维存储器研发进展三大方面展开演讲。他介绍到，我国虽然研究芯片的企业很多，但实际完成启动项目的并不多，他本人带领研发出的中国首个32层3DNAND闪存存储芯片，实现了中国高端存储芯片零的突破。长江存储之所以在激烈的产业竞争中脱颖而出，主要取决于三大因素：一是中国占有55%的全球市场，二是资金和政策对产业积累期的支持，三是半导体人才在中国聚集的可能，其中决定因素就是国家政策和大资金。他同时强调，长江存储的发展中应给予年轻技术人员更多机会，培养人才，在"找对人"、"砸对钱"、"做对事"三要素共同合力下，集全国资源、聚全球人才，取得事业的成功。

随后，施文广校友就存储芯片的技术进行了详细的阐述，他表示，长江存储研发的3D NAND与传统的不同，在于它有效地解决了传统3DNAND面临的三大挑战，利用XtackingTM技术使外围电路不受热效应影响，因此可选用更先进的逻辑工艺，实现更高的存储单元面积比重，并且缩短了产品的研发和量产周期，该创新架构使长江存储一举斩获2018年闪存峰会(FMS)最高荣誉（Best of Show）——"最具创新初创闪存企业"，填补了中国大陆地区20年的空白。

目前长江存储正在研发64层3D NAND，并捷报频传，将在明年实现量产。长江存储当下的目标是在技术，盈利角度都成为世界一流。

在专题报告的最后，两位校友表示，虽然面临颇多挑战，但发展存储器产业是我国集成电路制造实现快速突破的必经之战，而强大的市场基础和政策支持+产业基金是胜利的保障。长江存储将结合自身发展需求，配合国家战略，联合产业链各方资源，推动中国存储器芯片产业进入世界前沿。

互动环节，现场师生和校友踊跃提问。无论是专业领域的学术问题亦或是其他话题，杨士宁都给予充分肯定，并一一解答。

最后，汪敏教授为杨士宁校友送上了由上海大学上海美术学院学生亲手制作的、代表母校深情厚谊的礼物-----人物肖像画和篆刻章。至此，本次专题报告会取得圆满成功。

此前，校党委副书记、校友会会长徐旭在武汉调研期间，前往长江存储亲切探望了杨士宁和施文广校友。

杨士宁校友简介：

杨士宁，1981年毕业于上海大学（原上海科学技术大学）无线电系，美国伦斯勒理工学院物理学专业硕士、材料工程学专业博士。现任长江存储科技有限责任公司首席执行官。曾担任武汉新芯集成电路制造有限公司首席执行官，中芯国际集成电路制造有限公司首席运营官，新加坡特许半导体首席技术官，英特尔公司逻辑技术资深总监。今年4月，习近平总书记考察武汉新芯集成电路制造有限公司时，由杨士宁校友陪同讲解。

长江存储科技有限责任公司简介：

长江存储科技有限责任公司（"长江存储"）于2016年7月在中国武汉成立，是一家专注于3D NAND闪存芯片设计、生产和销售的IDM存储器公司。长江存储为全球工商业客户提供存储器产品，广泛应用于移动设备、计算机、数据中心和消费电子产品等领域。

2017年，长江存储在全资子公司武汉新芯12英寸集成电路制造工厂的基础上，通过自主研发和国际合作相结合的方式，成功设计并制造了中国首批3D NAND闪存芯片。长江存储在武汉、上海、北京、日本和美国硅谷设有研发中心，通过不懈努力和技术创新，致力于成为全球领先的NAND闪存解决方案提供商。